摘要 作为第三代的半导体材料－SiC具有禁带宽度大、热导率高、电子的饱和漂移速度大、临界击穿电场高和介电常数低等优点。在高频、大功率、耐高温、抗辐射的半导体器件及紫外探测器和短波发光二极管等方面具有广泛的应用前景。本文介绍了紫外探测器的原理和研究现状，其中重点介绍了基于SiC P-I-N 型的半导体紫外线探测器。列出了这类探测器的各项用途及优点，并对其结构以及性能做了简要论述。同时简要介绍了基于SiC的欧姆接触。关键词：SiC，宽带隙，紫外光探测器，P-I-N，欧姆接触前言碳化硅(SiC)由于其独特的物理性质和电子学特性，被认为是制作高温、高频、大功率和抗辐射器件的极具潜力的宽带隙(2．0eV≤Eg≤7．0eV)半导体材料。虽然，制备SiC晶体的历史可以追溯到1893年，但是真正引起重视还是1991年6H—SiC以及1994年4H—SiC单晶材料商品化以后，即20世纪90年代中后期才使SiC得到重大发展。[1]
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